La imagen es únicamente de referencia.Estilo de montaje: SMD/SMT Paquete / Cubierta: SOT-23-3 Polaridad del transistor: N-Channel Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V Id - Corriente de drenaje continua: 270 mA Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 2.8 Ohms Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V Qg - Carga de puerta: 1 nC Temperatura de trabajo mínima: - 55 C Temperatura de trabajo máxima: + 150 C Dp - Disipación de potencia : 400 mW