La imagen es unicamente de referencia.Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributoFabricante: onsemi Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Estilo de montaje: SMD/SMT Paquete / Cubierta: SOT-23-3 Polaridad del transistor: N-Channel Número de canales: 1 Channel Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V Id - Corriente de drenaje continua: 115 mA Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 7.5 Ohms Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V Temperatura de trabajo mínima: - 55 C Temperatura de trabajo máxima: + 150 C