24n60m2 Mosfet C-n 600v 18a. Rds0.19ohms Md Mesh - Sge12067

24n60m2 Mosfet C-n 600v 18a. Rds0.19ohms Md Mesh - Sge12067 Precio: $72.79
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El transistor 24N60M2 es un transistor de canal N de potencia media con un voltaje de ruptura de 600 voltios y una corriente de 18 amperios. Es un transistor de tipo encapsulado TO-220, lo que lo hace ideal para aplicaciones de montaje en placa.El 24N60M2 tiene una resistencia de estado de conducción baja de 0,168 ohmios, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y alta eficiencia. También tiene una capacidad de disipación de potencia de 100 vatios, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de potencia de alta potencia.El 24N60M2 se utiliza en una variedad de aplicaciones, incluyendo:Fuentes de alimentaciónControl de motoresInversoresEquipos de audio y videoElectrodomésticosEl 24N60M2 es un transistor de potencia versátil que se puede utilizar en una variedad de aplicaciones. Es un buen rendimiento y una excelente opción para aplicaciones de conmutación de potencia de alta eficiencia.Aquí hay algunas de las características clave del 24N60M2:Voltaje de ruptura: 600 voltiosCorriente de drenaje: 18 amperiosResistencia de estado de conducción: 0,168 ohmiosCapacidad de disipación de potencia: 100 vatiosEncapsulado: TO-220En comparación con el FQP50N06, el 24N60M2 tiene un voltaje de ruptura más alto y una corriente de drenaje más baja. También tiene una resistencia de estado de conducción ligeramente más alta. Esto significa que el 24N60M2 es mejor para aplicaciones que requieren un voltaje de ruptura más alto o una corriente de drenaje más baja. El FQP50N06 es mejor para aplicaciones que requieren una resistencia de estado de conducción más baja.