[[ [[ [[ U N I T _ E L E C T R O N I C S ]] ]] ]]F A C T U R A C I Ó NTodos los productos incluyen IVA, puedes solicitar el enlace de facturación por medio del chat de tu compra.INFORMACIÓN¿Qué es? El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.¿Para qué es? Hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operaciones.Mosfet Tipo de Empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio cd. La diferencia principal entre los dos es que los mosfet tipo empobrecimiento permite puntos de operación con valores positivos de VGs y niveles de ID mayores que IDSS.Los mosfet de enriquecimiento pueden ser un dispositivo tanto de canal n (nMOS) como canal p (pMOS). El circuito equivalente de señal pequeña de ca de cualquier de los dos dispositivos.¿Cómo Funciona? El Mosfet IRF3205 es un silicio de tres terminales. Dispositivos con capacidad de conducción actual de 110ª, velocidad de conmutación rápida, bajo estado encendido resistencia, clasificación de voltaje de ruptura de 55V, y Max. Tensión umbral de 4 voltiosLos transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados.ESPECIFICACIONES TÉCNICAS Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V Corriente continua de drenaje (Id): 98 A Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V Carga de compuerta (Qg): 146 nC Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm Encapsulado: TO-220 3 pinesC A T Á L O G Ohttps://listado.mercadolibre.com.mx/_CustId_76712625