Tipo de FET: MOSFETPolaridad de transistor: NESPECIFICACIONES MÁXIMASDisipación total del dispositivo (Pd): 150 WTensión drenaje-fuente |Vds|: 900 VTensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 VCorriente continua de drenaje |Id|: 8 ATemperatura operativa máxima (Tj): 150 °CCARACTERÍSTICAS ELÉCTRICASTiempo de elevación (tr): 120 nSConductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pFResistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.48 OhmEmpaquetado / Estuche: TO3P