El GT50JR22 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta potencia. Tiene un voltaje de ruptura de 600 V y una corriente nominal de 50 A. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de alta potencia, como inversores, controladores de motor y fuentes de alimentación conmutadas.Las características clave del GT50JR22 incluyen:Voltaje de ruptura: 600 VCorriente nominal: 50 ACorriente de pico: 80 ATiempo de encendido: 10 nsTiempo de apagado: 10 nsResistencia de saturación: 2 ohmiosGanancia de corriente: 100Temperatura máxima de funcionamiento: 150 °CEl GT50JR22 está disponible en un paquete TO-247-3.Aplicaciones típicas:InversoresControladores de motorFuentes de alimentación conmutadasConvertidores de frecuenciaEquipos industriales