El IRF840N es un transistor MOSFET de canal N fabricado por International Rectifier. Es ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta potencia debido a sus características de bajo R_DS(on) y alta capacidad de corriente. A continuación, se presenta información detallada sobre el IRF840N:Características Principales:Tipo de Transistor: MOSFET de canal N.Voltaje de Drenaje a Fuente (V_DS): 500V.Corriente de Drenaje (I_D): 8A a 25C.R_DS(on): 0.85ohms máximo a V_GS = 10V.Capacidad de Potencia (P_D): 125W.Tensión de compuerta a fuente (V_GS): 20V máximo.Tipo de Encapsulado: TO-220AB.Tasa de Conmutación: Alta velocidad de conmutación.Especificaciones Eléctricas:Voltaje de Drenaje a Fuente (V_DS): 500V.Corriente de Drenaje (I_D):Continuo: 8A.Pulsado: 32A.Voltaje de compuerta a fuente (V_GS): 20V.Resistencia de Drenaje a Fuente (R_DS(on)): 0.85ohms máximo a V_GS = 10V.Capacidad de Carga de Puerta (Q_G): 67nC típico.Tiempo de Retardo de Encendido (t_d(on)): 10ns típico.Tiempo de Retardo de Apagado (t_d(off)): 27ns típico.Características Térmicas:Resistencia Térmica, Junta a Ambiente (RJA): 62C/W.Resistencia Térmica, Junta a Caja (RJC): 1C/W.Temperatura de Operación (T_op): -55C a +150C.Aplicaciones Comunes:Convertidores DC-DC.Inversores de potencia.Fuentes de alimentación conmutadas.Controladores de motor.Aplicaciones de audio de alta potencia.