DescripciónEste MOSFET de potencia está diseñados para aplicaciones talescomo reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia.Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.Transistor IRFP260N IRFP260N Mosfet Potencia CH N 200 V 50 AInformación:Categoría de producto: MOSFET Tecnología: Si Estilo de montaje: Through Hole Paquete / Cubierta: TO-247-3 Polaridad del transistor: N-Channel Número de canales: 1 Channel Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 200 V Id - Corriente de drenaje continua: 50 A Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 40 mOhms Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V Temperatura de trabajo mínima: - 55 C Temperatura de trabajo máxima: + 175 C Dp - Disipación de potencia : 300 W Modo canal: Enhancement Configuración: Single Altura: 20.7 mm Longitud: 15.87 mm Tipo de transistor: 1 N-Channel Ancho: 5.31 mm Marca: Infineon / IR Tiempo de caída: 48 ns Tipo de producto: MOSFET Tiempo de subida: 60 ns Subcategoría: MOSFETs Tiempo de retardo de apagado típico: 55 ns Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns Peso de la unidad: 38 g