El RA30H2127M1 es un módulo amplificador RF MOSFET de alta potencia diseñado para radios móviles que operan en el rango de frecuencia de 210 a 275 MHz. Puede entregar hasta 30W de potencia de salida cuando se utiliza con una fuente de alimentación de 12.5V. A continuación, se detallan sus características y funcionamiento:Fuente de Alimentación: El módulo funciona con una fuente de alimentación de 12.5V. La batería se puede conectar directamente al drenaje de los transistores MOSFET.Voltaje de Puerta (VGG): El voltaje de la puerta controla la potencia de salida y la corriente de drenaje. Sin voltaje en la puerta (VGG = 0V), el módulo exhibe una corriente de fuga mínima y la señal de salida está atenuada hasta 60dB. A medida que el voltaje de la puerta aumenta desde 0V, tanto la potencia de salida como la corriente de drenaje aumentan significativamente.Potencia de Salida: La potencia nominal de salida de 30W se logra con un voltaje de puerta de aproximadamente 4V (típico) y hasta 5V (máximo).Tipos de Modulación: El módulo está principalmente diseñado para modulación FM no lineal, pero también puede adaptarse para modulación lineal. Para la modulación lineal, la potencia de salida se controla mediante la potencia de entrada, y la corriente de reposo del drenaje se ajusta modificando el voltaje de la puerta.Este módulo es adecuado para aplicaciones RF de alta potencia donde se requieren modulación controlada y potencia de salida ajustable.