La imagen es únicamente de referencia.Estilo de montaje: SMD/SMT Paquete / Cubierta: SOIC-8 Polaridad del transistor: N-Channel Número de canales: 2 Channel Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V Id - Corriente de drenaje continua: 15 A Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 28 mOhms Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.6 V Qg - Carga de puerta: 7.2 nC Temperatura de trabajo mínima: - 55 C Temperatura de trabajo máxima: + 150 C