La imagen es unicamnete de referencia.leer detalladamente sus referencias del componente:Estilo de montaje: SMD/SMT Paquete / Cubierta: DPAK-3 (TO-252-3) Polaridad del transistor: P-Channel Número de canales: 1 Channel Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V Id - Corriente de drenaje continua: 10 A Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 160 mOhms Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V Qg - Carga de puerta: 6.4 nC Temperatura de trabajo mínima: - 55 C Temperatura de trabajo máxima: + 175 C Dp - Disipación de potencia : 35 W Tiempo de caída: 10 ns Tipo de producto: MOSFETs Tiempo de subida: 7 ns Serie: STD10P6F6 Tiempo de retardo de apagado típico: 14 ns Tiempo típico de demora de encendido: 64 ns Peso de la unidad: 330 mg