Fabricante: Infineon Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Estilo de montaje: SMD/SMT Paquete / Cubierta: DPAK-3 (TO-252-3) Polaridad del transistor: N-Channel Número de canales: 1 Channel Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V Id - Corriente de drenaje continua: 70 A Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 11.1 mOhms Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V Qg - Carga de puerta: 51 nC Temperatura de trabajo mínima: - 55 C Temperatura de trabajo máxima: + 175 C Dp - Disipación de potencia : 125 W Tiempo de caída: 8 ns Altura: 2.3 mm Longitud: 6.5 mmLA IMAGEN ES SOLO DE REFERENCIA