Estilo de montaje: Through Hole Paquete / Cubierta: TO-247-3 Polaridad del transistor: N-Channel Número de canales: 1 Channel Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 900 V Id - Corriente de drenaje continua: 15 A Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 550 mOhms Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 30 V, + 30 V Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V Qg - Carga de puerta: 190 nC Temperatura de trabajo mínima: - 55 C Temperatura de trabajo máxima: + 150 C Dp - Disipación de potencia : 350 WTiempo de caída: 35 ns Altura: 20.15 mm Longitud: 15.75 mm Tipo de producto: MOSFETs