LA IMAGEN ES UNICAMENTE DE REFERENCIA Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Paquete / Cubierta: DPAK-3 (TO-252-3) Polaridad del transistor: N-Channel Número de canales: 1 Channel Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 30 V Id - Corriente de drenaje continua: 50 A Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 8.8 mOhms Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V Qg - Carga de puerta: 31.5 nC Temperatura de trabajo mínima: - 55 C Temperatura de trabajo máxima: + 175 C Dp - Disipación de potencia : 3.8 W